삼성전자는 지난 2월 업계 최초 6세대 ‘HBM4’ 양산 출하에 이어 수개월 만에 7세대 HBM4E 공급을 개시했다고 29일 밝혔다.
삼성전자의 HBM4E는 전작 HBM4에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용했다.
특히 설계 및 공정 최적화를 통해 업계 최고 수준의 성능 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps(초당 기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다.
또한 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다.
용량 측면에서도 개선됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸으며, 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대할 방침이다.
이와 함께 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선됐다.
삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다. 삼성전자는 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 빈틈없이 확대해 나갈 계획이다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”고 말했다.
정혜선 기자 firstwoo@kukinews.com
